Транзистор КТ827 — это полупроводниковое устройство, которое широко используется в электронике. Он относится к типу биполярных транзисторов и находит применение в различных устройствах, включая усилители, стабилизаторы и генераторы сигналов.
Основные параметры транзистора КТ827:
- Тип: Биполярный NPN транзистор
- Максимальное значение тока коллектора (Ic): 1 А
- Максимальное значение тока базы (Ib): 50 мА
- Максимальное значение тока эмиттера (Ie): 1 А
- Максимальная обратная постоянная напряжения коллектор-эмиттер (Vceo): 45 В
- Максимальная постоянная напряжения база-эмиттер (Vbeo): 6 В
- Максимальная мощность потери на переход коллектор-эмиттер (Pc): 800 мВт
- Максимальная рабочая частота переключения (fT): 150 МГц
Транзистор КТ827 отличается высоким качеством и надежностью. Он обладает низкими потерями и хорошими параметрами усиления, что делает его привлекательным для использования в различных электронных устройствах. Благодаря своим характеристикам и широкому спектру применения, транзистор КТ827 является одним из наиболее популярных и востребованных элементов в электронике.
Характеристики транзистора КТ827
Основные параметры транзистора КТ827:
- Тип транзистора: NPN;
- Максимальное коллекторное напряжение: 45 В;
- Максимальный коллекторный ток: 0,1 А;
- Максимальная мощность потери: 0,3 Вт;
- Коэффициент усиления по току: в диапазоне 40-320;
- Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C;
- Корпус: металл (TO-92).
Транзистор КТ827 обычно применяется в усилителях низкой частоты, контроллерах, источниках питания и других электронных устройствах.
Описание транзистора КТ827
Основные параметры транзистора КТ827:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 50 В
- Максимальное напряжение база-эмиттер (VEBO): 5 В
- Максимальный коллекторный ток (IC): 150 мА
- Максимальная мощность (PC): 500 мВт
- Максимальная рабочая частота (fT): 100 МГц
- Температурный диапазон: от -55°C до +150°C
Транзистор КТ827 широко используется в различных электронных схемах. Он обладает высокой стабильностью работы на низких частотах и способен усиливать электрический сигнал. Благодаря своим характеристикам, он находит применение в усилителях, генераторах сигналов, и других устройствах.
Внешний вид транзистора КТ827
Транзистор КТ827 представляет собой электронное устройство в форме маленького металлического корпуса. Размеры корпуса составляют обычно около 4 мм в длину и 3 мм в ширину.
На корпусе транзистора обычно нанесены маркировки, позволяющие идентифицировать его тип и параметры. Кроме того, могут быть указаны информация о производителе и дата изготовления.
Внешний вид транзистора КТ827 может незначительно отличаться в зависимости от производителя, но общие принципы его конструкции остаются неизменными. Компактный размер и удобство монтажа делают транзистор КТ827 одним из самых популярных полупроводниковых устройств для различных электронных схем.
Структура транзистора КТ827
Эмиттер является самым тонким слоем и обладает большей концентрацией носителей заряда – электронов или дырок. Он выполняет функцию источника носителей заряда в транзисторе.
База расположена между эмиттером и коллектором. Она имеет меньшую концентрацию носителей заряда по сравнению с эмиттером. База контролирует ток коллектора в зависимости от тока базы и выполняет ключевую роль в усилительных схемах.
Коллектор является самым толстым слоем в структуре транзистора КТ827. Он имеет большую площадь, чем эмиттер и база, и обладает низкой концентрацией носителей заряда. Коллектор отводит истекающий из эмиттера ток и выполняет функцию стока носителей заряда.
Такая структура транзистора КТ827 позволяет ему исполнять различные функции в электронных устройствах, такие как усиление сигналов, переключение и модуляция.
Основные параметры транзистора КТ827
Транзистор КТ827 обладает следующими основными параметрами:
- Максимально допустимый коллекторный ток (Ic) — 200 мА
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce) — 30 В
- Максимальная мощность потери в виде тепла (Pc) — 400 мВт
- Напряжение перехода база-эмиттер (Ube) — 6 В
- Напряжение перехода коллектор-эмиттер (Uceo) — 40 В
- Ток перехода база-эмиттер (Ibe) — 50 мА
- Температурный коэффициент стабильности параметров транзистора (β) — 1,5 мА/°C
- Температурный диапазон эксплуатации — от -55°C до +150°C
- Корпус транзистора — TO-92
Транзистор КТ827 является универсальным низкочастотным PNP транзистором, который широко используется в электронных схемах для усиления сигналов, коммутации и других целей. Его высокая надежность и характеристики делают его привлекательным выбором для многих проектов.
Ток коллектора транзистора КТ827
Ток коллектора обычно указывается величиной в амперах (А). Величина этого тока зависит от конструкции транзистора и его назначения. Для транзистора КТ827 типовое значение тока коллектора может составлять, например, 0.5 А или 1.0 А.
Превышение максимального значения тока коллектора может привести к перегреву и повреждению транзистора. Поэтому при использовании транзистора КТ827 необходимо быть внимательным и учитывать максимально допустимый ток коллектора при проектировании схемы.
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора КТ827
У транзистора КТ827 напряжение коллектор-эмиттер составляет 80 В, что позволяет использовать его в цепях с небольшим количеством напряжения и низкой мощностью. При превышении указанного значению напряжения транзистор может перегреться и выйти из строя.
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора КТ827 в значительной степени определяет его область применения. Однако, помимо данного параметра, необходимо учитывать и другие характеристики транзистора, такие как максимальный ток коллектора, коэффициент усиления тока и др. Эти параметры влияют на работу транзистора и должны быть учтены при проектировании электронных схем.
Вопрос-ответ:
Какие основные характеристики имеет транзистор КТ827?
Транзистор КТ827 имеет следующие основные характеристики: максимальное коллекторное напряжение — 400 В, максимальный коллекторный ток — 1 А, максимальная мощность — 1 Вт, коэффициент усиления по току — не менее 100.
Для чего используется транзистор КТ827?
Транзистор КТ827 применяется в различных электронных схемах, включая усилители, генераторы и ключевые элементы. Он может использоваться как ключ для управления небольшими нагрузками, а также как усилитель слабых сигналов.
Каковы электрические параметры транзистора КТ827?
Транзистор КТ827 имеет следующие электрические параметры: коэффициент усиления тока в активном режиме — не менее 40, коэффициент усиления в режиме насыщения — не менее 30, падение напряжения между коллектором и эмиттером в активном режиме — не более 1 В, падение напряжения между коллектором и эмиттером в режиме насыщения — не более 0,2 В.
Какова температурная стабильность транзистора КТ827?
Транзистор КТ827 обладает хорошей температурной стабильностью. Его параметры изменяются незначительно при изменении температуры в пределах от -55°C до +150°C. Это позволяет использовать его в различных условиях эксплуатации.
Какие условия эксплуатации рекомендованы для транзистора КТ827?
Транзистор КТ827 рекомендуется использовать при температуре от -55°C до +150°C. Рекомендуется соблюдать максимальные значения по напряжению и току, указанные в технической документации. Также рекомендуется обеспечить хорошую тепловую отводимость для устранения избыточного нагрева.
Какие основные параметры имеет транзистор КТ827?
Транзистор КТ827 имеет следующие основные параметры: максимальное рабочее напряжение коллектора — 40 В, максимальный коллекторный ток — 200 мА, максимальная мощность — 625 мВт, коэффициент усиления по току — от 60 до 400, сопротивление коллектор-эмиттер в открытом состоянии — 200 Ом.